型号:SI1058X-T1-E3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:SOT-563,SOT-666 | 描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | - |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 91 毫欧 @ 1.3A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.55V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 5.9nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 380pF @ 10V |
功率_最大 | 236mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商设备封装 | SC-89-6 |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
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